3月31日晚間，天岳先進披露上市后首份年報。2021年，公司實現(xiàn)營收4.94億元，同比增長16.25%；歸母凈利潤8995.15萬元，實現(xiàn)扭虧為盈；基本每股收益為0.23元/股。

第三代半導體材料碳化硅襯底是天岳先進的核心產(chǎn)品及主要收入來源，經(jīng)過十余年的技術積累，公司已掌握涵蓋晶體生長、襯底加工等各環(huán)節(jié)核心技術。天岳先進市場影響力持續(xù)增強，根據(jù)行業(yè)知名機構Yole報告顯示，在半絕緣碳化硅襯底領域，公司已經(jīng)連續(xù)三年市占率位列全球前三。

值得注意的是，公司自主研發(fā)的半絕緣型碳化硅襯底產(chǎn)品，廣泛應用于5G通信、國防軍工、航空航天等射頻領域。2019年12月，公司獲得國家科學技術進步一等獎。

碳化硅行業(yè)處于爆發(fā)前期，碳化硅已成為新能源車800V時代的超強風口。對于碳化硅器件而言，襯底產(chǎn)能是關鍵環(huán)節(jié)。

目前，天岳先進為迎接導電型襯底市場的爆發(fā)，科創(chuàng)板上市募集資金約35億元，主要用于提升導電型襯底產(chǎn)能，加速推進其上海臨港（600848）項目。該項目被列為2022年上海市重大建設項目，預計三季度實現(xiàn)一期項目投產(chǎn)。據(jù)悉，達產(chǎn)后將新增碳化硅襯底材料產(chǎn)能約30萬片/年，是目前公司產(chǎn)能的六倍之多，將有效緩解公司產(chǎn)能不足。

另外，天岳先進研發(fā)投入高增長，持續(xù)構筑領先的技術優(yōu)勢。公司2021年在研項目的研發(fā)投入將近1.42億元，主要集中在大尺寸及導電型襯底領域。

天岳先進表示，持續(xù)研發(fā)投入也提升了公司長遠競爭優(yōu)勢。依托“8英寸寬禁帶碳化硅半導體單晶生長及襯底加工關鍵技術項目”等項目，公司在加快研發(fā)大尺寸碳化硅襯底以及提升導電型襯底關鍵指標等方面獲得突破性進展。2021年，公司及下屬子公司合計新申請發(fā)明專利和實用新型專利共89項，其中發(fā)明專利37項。在產(chǎn)業(yè)化方面，公司已通過車規(guī)級IATF16949體系認證的現(xiàn)場審核，并積極推動相應產(chǎn)品的客戶認證工作。（朱劍平）

關鍵詞： 扭虧為盈