近半年來,全球存儲(chǔ)芯片價(jià)格持續(xù)上漲。三星電子向主要客戶發(fā)出第四季度提價(jià)通知,計(jì)劃將部分DRAM價(jià)格上調(diào)15%至30%,NAND閃存價(jià)格上調(diào)5%至10%。在這一輪由供需關(guān)系和技術(shù)迭代驅(qū)動(dòng)的行業(yè)上升周期中,掌握核心技術(shù)正成為企業(yè)贏得市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的關(guān)鍵籌碼。

2025年9月,國(guó)際電子器件大會(huì)(IEDM)論文錄用名單公布。國(guó)內(nèi)DRAM制造商長(zhǎng)鑫科技憑借3D鐵電存儲(chǔ)器(FeRAM)與后端工藝集成的新型多層堆疊DRAM架構(gòu)兩項(xiàng)創(chuàng)新成果成功入選,其論文入選數(shù)量位居國(guó)內(nèi)企業(yè)之首,展現(xiàn)了在下一代存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的扎實(shí)布局。

IEDM作為半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的頂級(jí)會(huì)議,其論文錄用情況反映了各研究機(jī)構(gòu)在前沿技術(shù)領(lǐng)域的布局與實(shí)力。從技術(shù)趨勢(shì)看,本屆IEDM重點(diǎn)關(guān)注了下一代晶體管結(jié)構(gòu)與新型存儲(chǔ)技術(shù)。

在這一背景下,長(zhǎng)鑫科技的技術(shù)突破顯得更具參考價(jià)值,其展示的3D FeRAM方案實(shí)現(xiàn)了單片集成的堆疊式鐵電電容結(jié)構(gòu),利用鐵電材料的非易失特性,在單元層面實(shí)現(xiàn)了數(shù)據(jù)斷電保存功能,同時(shí)通過三維堆疊工藝提升了存儲(chǔ)密度。鐵電存儲(chǔ)器因其讀寫速度接近DRAM、功耗接近NAND的特性,被視為潛在的新型存儲(chǔ)解決方案。

在DRAM技術(shù)方向上,長(zhǎng)鑫科技提出了可在后端工藝線(BEOL)集成的多層堆疊DRAM架構(gòu)。該技術(shù)突破了傳統(tǒng)DRAM僅能在晶圓前道工藝制造的局限,通過在后道工序中直接構(gòu)建存儲(chǔ)單元,實(shí)現(xiàn)了存儲(chǔ)陣列與邏輯電路的三維集成。這一路徑若成熟,有望為存算一體架構(gòu)和異構(gòu)集成提供新的硬件基礎(chǔ)。

這些前沿技術(shù)的突破,離不開其背后的研發(fā)體系支撐。據(jù)公開信息,長(zhǎng)鑫不僅研發(fā)技術(shù)人員占比較高,更呈現(xiàn)出顯著的年輕化特征,這種人才結(jié)構(gòu)有利于快速響應(yīng)技術(shù)變革、攻克前沿難題。

從產(chǎn)業(yè)背景看,2025年政府工作報(bào)告中明確強(qiáng)調(diào)了產(chǎn)學(xué)研協(xié)同與關(guān)鍵技術(shù)人才培養(yǎng)。在此導(dǎo)向下,長(zhǎng)鑫科技于今年4月成立北京地區(qū)科協(xié),系統(tǒng)性地構(gòu)建與高校、科研院所的技術(shù)合作平臺(tái)。

技術(shù)層面的進(jìn)展與產(chǎn)學(xué)研的深化,共同構(gòu)成了公司創(chuàng)新發(fā)展的基本面,也為其資本市場(chǎng)進(jìn)程提供了支撐。值得關(guān)注的是,長(zhǎng)鑫科技已于2025年7月啟動(dòng)A股上市輔導(dǎo),并在三個(gè)月內(nèi)完成驗(yàn)收流程。有分析認(rèn)為,其在IEDM上展示的技術(shù)成果,不僅是研發(fā)能力的體現(xiàn),也有助于強(qiáng)化其在資本市場(chǎng)中的技術(shù)定位。

通過產(chǎn)學(xué)研協(xié)同機(jī)制的建立,長(zhǎng)鑫科技在存儲(chǔ)器技術(shù)研發(fā)方面形成了特定的技術(shù)路徑,其發(fā)展模式為觀察國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)的技術(shù)創(chuàng)新提供了實(shí)際案例。

免責(zé)聲明：市場(chǎng)有風(fēng)險(xiǎn)，選擇需謹(jǐn)慎！此文僅供參考，不作買賣依據(jù)。

關(guān)鍵詞：