當前，AI芯片功耗持續攀升，CoWoS等主流封裝方案的硅中介層已觸及散熱極限，材料創新成為破解先進封裝瓶頸的核心。據Fortune Business Insights數據，2025年全球先進封裝市場規模達423億美元，預計2034年增至704億美元。高算力時代下，先進封裝產業迎來廣闊發展空間。

作為國內化合物半導體領域全產業鏈布局的主力軍，三安光電精準切入碳化硅、金剛石等寬禁帶材料賽道，聚焦AR光學、中介層、熱沉三大核心方向，在先進封裝領域構建起獨特競爭優勢，多項技術成果已進入送樣或批量交付階段，為全球AI芯片效能提升提供重要樣本。

AR光學襯底：寬禁帶材料賦能，夯實光學封裝基礎

AR光學襯底方面，碳化硅折射率達2.7（傳統玻璃約2.0），熱導率超玻璃百倍，兼具優異光學與導熱性能。三安光電具備Micro LED和碳化硅光學材料綜合服務能力，目前8英寸光學碳化硅襯底已通過客戶驗證，12英寸產品已實現小批量交付，為AR設備性能升級提供核心材料支撐。

碳化硅中介層：精準破解散熱痛點，適配高端AI封裝需求

碳化硅中介層可精準破解散熱痛點，其熱導率約為硅的3倍，能使GPU結溫降低20–30°C，散熱成本下降約30%。目前，三安光電12英寸碳化硅襯底正配合頭部客戶開展下一代AI芯片封裝驗證，有望成為先進封裝方案的主流選擇。

熱沉領域：雙材料并行布局，滿足多元散熱需求

熱沉領域，三安光電采用金剛石、碳化硅雙路線并行，覆蓋多元散熱需求。其中，金剛石熱沉基板熱導率達2300W/(m?K)，在大功率激光器應用中較陶瓷基板熱阻大幅降低，已通過1000小時老化測試并批量交付；碳化硅熱沉產品已完成送樣測試，逐步推進商業化落地。

全鏈產能布局：筑牢供給保障，支撐技術規模化落地

產能布局是技術落地的重要支撐，三安光電已構建湖南、重慶兩大核心生產基地，形成從襯底到模塊的全鏈條自主制造能力。湖南基地6英寸碳化硅芯片月產能達16000片，8英寸襯底月產能1000片、外延月產能2000片，8英寸芯片產線已通線量產；重慶基地8英寸襯底月產能3000片，產能逐步釋放，補強大尺寸碳化硅材料供給。湖南三安的碳化硅二極管已形成覆蓋650V至2000V的全電壓產品梯度，累計出貨達4億顆，投產三年內累計銷售收入近20億元，在國內碳化硅功率器件市場具備領先產業實力，為先進封裝材料產業化提供了堅實的市場根基。

以寬禁帶技術為核，筑牢先進封裝材料底盤。前瞻布局前沿新工藝，三安光電將持續領跑核心材料突破，以中國方案支撐全球AI芯片效能升級，驅動先進封裝產業向高端跨越。

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